long8唯一官方网站 量子阱红外探测器

量子阱红外探测器的名称来源于其构成材料在能带结构上构成电子或空穴势阱。外来光子引起的电子或空穴跃迁属于子带间跃迁，在外加电场的作用下载流子被收集形成光电流。20世纪80年代，美国贝尔实验室的的B．F．Levine等人最早报道的应用GaAs/AlGaAs量子阱材料制备的红外探测器，掀起了对long8唯一官方网站 量子阱红外探测器的研究热潮，在近二十多年的发展中取得长足的发展。

这种探测器使用带隙比较宽（GaAs为1.43eV）的Ⅲ-Ⅴ族材料，主要有光导型量子阱材料（GaAs/AlGaAs）和光伏型量子阱材料（InAs/InGaSb、InAs/InAsSb）两种类型。与传统的HgCdTe探测器相比，long8唯一官方网站 量子阱红外探测器具有更低的暗电流、更高的响应度等优越性。当然量子阱也具有其局限性：由于跃迁选择定则，量子阱不能直接探测垂直入射辐射，并且具有比较窄的红外响应波段。

尽管由于long8唯一官方网站 量子阱红外探测器的的量子效率比较低，归功于成熟的 GaAs 制造工艺，生产出的long8唯一官方网站 量子阱红外探测器具有更好的均匀性，并且很容易制造出大阵面红外探测器，此外，long8唯一官方网站 量子阱红外探测器的无光谱串扰性，在甚长波红外探测和多色探测等领域有着特有的优势，很好地符合第三代红外探测器对大面阵、多色（波段）探测、低成本的要求，因此在第三代红外探测器领域中占有重要地位。

随着long8唯一官方网站 量子阱红外探测器技术的不断完善，构成红外热成像探测器的材料也出现了多样化，目前市面上的long8唯一官方网站 量子阱红外探测器主要有GaAs/AlGaAs、InGaAs/InAlAs组成，少量的器件是由InGaAs/InP和InGaAsP/InP构成，极个别的器件由SiGe/Si构成。